Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，240 W，30 V，1805至1880 MHz

频率

1805至1880 MHz

供电电压

30.0 V

增益

18至19 dB

封装类型

H-33288-6

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，1000 W，50 V，1030 / 1090 MHz

频率

1030至1090 MHz

供电电压

50.0 V

增益

17至21 dB

封装类型

H-36275-4

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，25 W，50 V，500至1400 MHz

频率

1200至1400 MHz

供电电压

50.0 V

增益

16.5至17.5 dB

封装类型

H-36265-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，240 W，30 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

30.0 V

增益

15.8 dB

封装类型

H-37260-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，270W，28V，728至768MHz

频率

728至768 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至18.5 dB

封装类型

H-34288-4/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，340 W，30 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17.5至19 dB

封装类型

H-37275-6/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，90 W，28 V，920至960 MHz

频率

920至960 MHz

供电电压

28.0 V

增益

19.5 dB

封装类型

H-37265-2

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Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，60 W，725至770 MHz

频率

725至770 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至19.5 dB

封装类型

H-36265-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，140 W，28 V，2010至2025 MHz

频率

2010至2025 MHz

供电电压

28.0 V

增益

15至16 dB

封装类型

H-37248-4

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Infineon Technologies

描述

宽频射频LDMOS集成功率放大器，15 W，28 V，700至1000 MHz

频率

700至1000 MHz

供电电压

28.0 V

增益

29至30 dB

封装类型

PG-DSO-20-63

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