筛选条件
制造商:Infineon Technologies
Infineon Technologies
- 描述
- 大功率射频LDMOS场效应晶体管,200 W,28 V,2620至2690 MHz
- 频率
- 2620至2690 MHz
- 供电电压
- 28.0 V
- 增益
- 18至19.5 dB
- 封装类型
- H-34288G-4/2
Infineon Technologies
- 描述
- 大功率射频LDMOS场效应晶体管,150 W,30 V,1930至1990 MHz
- 频率
- 1930至1990 MHz
- 供电电压
- 30.0 V
- 增益
- 17至18 dB
- 封装类型
- H-37248-2
Infineon Technologies
- 描述
- 宽频射频LDMOS集成功率放大器,45 W,1900至2200 MHz
- 频率
- 1900至2200 MHz
- 供电电压
- 28.0 V
- 增益
- 26.5至28 dB
- 封装类型
- H-33265-8
Infineon Technologies
- 描述
- 大功率射频LDMOS场效应晶体管,120 W,28 V,920至960 MHz
- 频率
- 920至960 MHz
- 供电电压
- 28.0 V
- 增益
- 18至19 dB
- 封装类型
- H-37248-2
Infineon Technologies
- 描述
- 大功率射频LDMOS场效应晶体管,500 W,50 V,390至450 MHz
- 频率
- 390至450 MHz
- 供电电压
- 50.0 V
- 增益
- 18 dB
- 封装类型
- H-36275-2
Infineon Technologies
- 描述
- 宽频射频LDMOS集成功率放大器,40 W,28 V,1800至2100 MHz
- 频率
- 1800至2000 MHz
- 供电电压
- 28.0 V
- 增益
- 28至30 dB
- 封装类型
- PG-DSO-20-63
Infineon Technologies
- 描述
- 大功率射频LDMOS场效应晶体管,250 W,28 V,1805至1880 MHz
- 频率
- 1805至1880 MHz
- 供电电压
- 30.0 V
- 增益
- 18至19 dB
- 封装类型
- H-34288-4/2
Infineon Technologies
- 描述
- 大功率射频LDMOS场效应晶体管,8 W,700至2200 MHz
- 频率
- 700至2200 MHz
- 供电电压
- 28.0 V
- 增益
- 20.7 dB
- 封装类型
- PG-SON-10
Infineon Technologies
- 描述
- 大功率射频LDMOS场效应晶体管,140 W,30 V,2300至2400 MHz
- 频率
- 2300至2400 MHz
- 供电电压
- 28.0 V
- 增益
- 16.5至17 dB
- 封装类型
- H-37248-4
Infineon Technologies
- 描述
- 大功率射频LDMOS场效应晶体管,200 W,30 V,2110至2170 MHz
- 频率
- 2110至2170 MHz
- 供电电压
- 30.0 V
- 增益
- 15.3至15.8 dB
- 封装类型
- H-36260-2