Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，200 W，30 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

15.8 dB

封装类型

H-37260-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，180 W，28 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

28.0 V

增益

15.5 dB

封装类型

H-36260-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，70 W，28 V，1805至1880 MHz

频率

1805至1880 MHz

供电电压

28.0 V

增益

15.5至16.5 dB

封装类型

H-36265-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，45 W，28 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

28.0 V

增益

17.5 dB

封装类型

H-31265-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，180 W，30 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

16至17 dB

封装类型

H-34288-4/2

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Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，150W，420至500 MHz

频率

420至500 MHz

供电电压

28.0 V

增益

20至21 dB

封装类型

H-36248-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，350 W，50 V，1200至1400 MHz

频率

1200至1400 MHz

供电电压

50.0 V

增益

15.5至16 dB

封装类型

H-36248-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，160 W，28 V，920至960 MHz

频率

920至960 MHz

供电电压

28.0 V

增益

19.5至20 dB

封装类型

H-34288-4/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管 120W，28V，2496至2690MHz

频率

2496至2690 MHz

供电电压

28.0 V

增益

12.5至13.5 dB

封装类型

H-37248-4

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Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，55 W，869至960 MHz

频率

869至960 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至18.5 dB

封装类型

H-37265-2

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