Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，190 W，28 V，1805至1880 MHz

频率

1805至1880 MHz

供电电压

28.0 V

增益

14至15.5 dB

封装类型

H-44248H-4

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Infineon Technologies

描述

宽频射频LDMOS集成功率放大器，40 W，1800至2000 MHz

频率

1800至2000 MHz

供电电压

28.0 V

增益

28.5至30 dB

封装类型

H-33265-8

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，360 W，28 V，920至960 MHz

频率

920至960 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至20 dB

封装类型

H-34275G-6/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，180 W，30 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

16至17 dB

封装类型

H-33288-6

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，90 W，28 V，920至960 MHz

频率

920至960 MHz

供电电压

28.0 V

增益

19.5 dB

封装类型

H-36265-2

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Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，150W，420至500 MHz

频率

420至500 MHz

供电电压

28.0 V

增益

20至21 dB

封装类型

H-37248-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，320 W，28 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

28.0 V

增益

15.75至17 dB

封装类型

H-34375G-6/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，220 W，30 V，920至960 MHz

频率

920至960 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17.5至18.5 dB

封装类型

H-37260-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，240 W，30 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17至18 dB

封装类型

H-33288-6

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Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，170 W，725至770 MHz

频率

725至770 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至18.7 dB

封装类型

H-37248-2

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