Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，220 W，30 V，920至960 MHz

频率

920至960 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17至17.5 dB

封装类型

H-33288-6

下载手册 官网资料 对比 询价

Infineon Technologies

描述

宽频射频LDMOS集成功率放大器，40 W，1800至2000 MHz

频率

1800至2000 MHz

供电电压

28.0 V

增益

28.5至30 dB

封装类型

H-34265-8

下载手册 官网资料 对比 询价

Infineon Technologies

描述

200 W 射频功率晶体管 ， 1030 MHz - 1090 MHz

频率

1030 - 1090 MHz

供电电压

50 V

增益

18 dB

下载手册 官网资料 对比 询价

Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，170 W，725至770 MHz

频率

725至770 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至18.7 dB

封装类型

H-36248-2

下载手册 官网资料 对比 询价

Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，220 W，30 V，920至960 MHz

频率

920至960 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17至17.5 dB

封装类型

H-34288-4/2

下载手册 官网资料 对比 询价

Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，55 W，869至960 MHz

频率

869至960 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至18.5 dB

封装类型

H-36265-2

下载手册 官网资料 对比 询价

Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，340 W，30 V，1805至1880 MHz

频率

1805至1880 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17.5 dB

封装类型

H-34275G-6/2

下载手册 官网资料 对比 询价

Infineon Technologies

描述

1800至2200 MHz，LDMOS晶体管，28 Watts

频率

1800至2200 MHz

供电电压

28.0 V

增益

20至21 dB

封装类型

H-37248-4

下载手册 官网资料 对比 询价

Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，150 W，30 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

18 dB

封装类型

H-37248-2

下载手册 官网资料 对比 询价

Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，12 W，50 V，390至450 MHz

频率

390至450 MHz

供电电压

50.0 V

增益

23至25 dB

封装类型

H-36265-2

下载手册 官网资料 对比 询价