CGH21120F

Wolfspeed

描述
120 W, 1800-2300 MHz, GaN HEMT 用于 WCDMA, LTE, WiMAX
频率
1800 - 2300 MHz
增益
15 dB
功率(W)
120 W

PTFA 220121M - 12 W

Infineon Technologies

描述
大功率射频LDMOS场效应晶体管,12 W,700至2200 MHz
频率
700至2200 MHz
供电电压
28.0 V
增益
16.2 dB
封装类型
PG-SON-10

T2G4003532-FS

Qorvo

描述
30W, 32V DC - 3.5 GHz, GaN 射频功率晶体管
频率
DC - 3.5 GHz
增益
16 - 21.6 dB
封装类型
表贴

TCM9-1+

Mini Circuits

描述
变频器 表面贴装 配置A 非平衡到平衡中心插头 0.01-1400MHz
频率
2-280 MHz

MRF6VP11KH

Freescale

描述
1.8-150 MHz,1000 W,50 V 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET
频率
1.8 - 150 MHz
供电电压
50 V
增益
26 dB @ 26 MHz
功率(W)
1000 W

MS2473

Microsemi

供电电压
50 V
增益
6 dB
功率(W)
600 W

TGF2018

Triquint

描述
离散180-micron pHEMT晶体管 ,DC - 20 GHz
频率
DC - 20 GHz
增益
14 dB
功率(W)
0.15 W

NCS4-272+

Mini Circuits

描述
变频器 LTCC 配置J 宽带双绞线传输器 240 - 12000MHz
频率
2300-2700 MHz

BLP8G20S-80P

NXP Semiconductors

描述
1880 - 1920 MHz,LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站
频率
1880 - 1920 MHz
供电电压
28 V(DC)
增益
16 dB

ADT3-6T (+)

Mini Circuits

描述
变频器 表面贴装 配置A 非平衡到平衡中心插头 0.01-1400MHz
频率
0.06-400 MHz

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛