Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置A 非平衡到平衡中心插头 0.01-1400MHz

频率

1-400 MHz

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Integra Technologies, Inc.

描述

1025至1150 MHz，9.8 dB 双极晶体管

频率

1025至1150 MHz

供电电压

60 V

增益

9.8 dB

封装类型

法兰

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Cree

描述

350 Watt，5.2 GHz至5.9 GHz GaN HEMT，应用于雷达系统

频率

5.2至5.9 GHz

增益

10.5至11 dB

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Microsemi

描述

150 MHz N-通道，MOSFET，用于军用和商用

频率

150 MHz

供电电压

100 V

功率(W)

300 W

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NXP Semiconductors

描述

1427 - 2170 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

1427 - 2170 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

19.5 dB

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Ampleon

描述

53.98 dBm (250 W), LDMOS晶体管，1450 - 1550 MHz

频率

1450 - 1550 MHz

增益

18.5 dB

功率(W)

250 W

封装类型

法兰, 陶瓷

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Integra Technologies, Inc.

描述

2700至2900 MHz，9.5 dB 双极晶体管

频率

2700至2900 MHz

供电电压

36 V

增益

9.5 dB

封装类型

法兰

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NXP Semiconductors

描述

120 W LDMO 功率晶体管，1805 MHz至1995 MHz

频率

1805至1880 MHz

增益

19.2 dB

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Qorvo

描述

700 - 915 MHz 高IP3双PHEMT低噪声放大器

频率

700 - 915 MHz

供电电压

4 V

电流

70 mA

增益

20.5 dB

功率(W)

117 mW

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Microsemi

描述

2700 - 3500 MHz, 100 W, 11 dB, GaN晶体管

频率

2700 - 3500 MHz

供电电压

60 V

增益

11 dB

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