Integra Technologies, Inc.

描述

960至1215 MHz，8.5 dB 双极晶体管

频率

960至1215 MHz

供电电压

50 V

增益

8.5 dB

封装类型

法兰

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Nitronex

描述

48 V GaN HEMT晶体管，DC - 2.2 GHz 100W饱和功率

频率

DC - 2.2 GHz

供电电压

48 V

增益

19 dB / 0.9 GHz

功率(W)

100 W / 0.9GHz (CW 饱和功率)

封装类型

塑料

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置A 非平衡到平衡中心插头 0.01-1400MHz

频率

0.10-70 MHz

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置G 平衡传输线 0.50-6700MHz

频率

600-1100 MHz

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NXP Semiconductors

描述

2000 - 2200 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

2000 - 2200 MHz

供电电压

32 V(DC)

增益

18 dB

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Mini Circuits

描述

变频器 LTCC 配置G 平衡传输线 600-2600MHz

频率

600-1100 MHz

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NXP Semiconductors

描述

2000 - 2200 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

2000 - 2200 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

18.5 dB

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MACOM

描述

硅基Bipolar晶体管

频率

960 - 1215 MHz

功率(W)

150 W

封装类型

陶瓷

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，150 W，30 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17至18 dB

封装类型

H-36248-2

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Microsemi

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