MACOM

描述

硅基Bipolar晶体管

频率

960 - 1215 MHz

功率(W)

50 W

封装类型

陶瓷

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Qorvo

描述

X 频段 离散功率 pHEMT

频率

0 - 12000 MHz

供电电压

8 - 12 V

电流

600 - 1000 mA

增益

11 dB

功率(W)

7.943 W

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MACOM

描述

硅基Bipolar晶体管

频率

150 - 400 MHz

功率(W)

10 W

封装类型

陶瓷

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Nitronex

描述

45W GaN RF HEMT，DC-4.0 GHz

频率

DC - 4.0 GHz

供电电压

28 V

增益

13.5 dB

功率(W)

45 W

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，300 W，30 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

18 dB

封装类型

H-37275-6/2

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Freescale

描述

2500-2700 MHz，10 W Avg.，28 V WiMAX RF LDMOS宽带集成功率放大器

频率

2500 - 2700 MHz

供电电压

28 V

增益

25 dB @ 25 MHz

功率(W)

30 W

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Freescale

描述

1.80-1.88 GHz，90 W，26 V 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

1805 - 1880 MHz

供电电压

26 V

增益

13.5 dB @ 13.5 MHz

功率(W)

90 W

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置M 平衡到平衡的中心插头 50-1000 MHz

频率

50-1000 MHz

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NXP Semiconductors

描述

1800 - 2000 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

1800 - 2000 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

16.5 dB

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Infineon Technologies

描述

宽频射频LDMOS集成功率放大器，30 W，28 V，700至1000 MHz

频率

700至1000 MHz

供电电压

28.0 V

增益

32 dB

封装类型

PG-DSO-20-63

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