Integra Technologies, Inc.

描述

1至500 MHz，VDMOS晶体管

频率

1至500 MHz

供电电压

28 V

封装类型

法兰

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置C 平衡到平衡 0.01-500MHz

频率

1.5-500 MHz

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Cree

描述

90 W，RF功率GaN HEMT，一般用途宽带晶体管

频率

0 - 3000 MHz

供电电压

28 V

增益

16 dB

功率(W)

90 W

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Freescale

描述

1930-1990 MHz，63 W Avg.，28 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

1930 - 1990 MHz

供电电压

28 V

增益

20 dB @ 20 MHz

功率(W)

190 W

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置C 平衡到平衡 0.01-500MHz

频率

10-250 MHz

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Freescale

描述

880 MHz，40 W Avg.，28 V，单 N-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

880 - 960 MHz

供电电压

28 V

增益

20.8 dB @ 20.8 MHz

功率(W)

200 W

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Microsemi

频率

1000 MHz

供电电压

18 V

增益

10.8 dB

功率(W)

0.6 W

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NXP Semiconductors

描述

1805 - 1990 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

1805 - 1990 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

18.5 dB

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MACOM

描述

硅基Bipolar晶体管

频率

1200 - 1400 MHz

功率(W)

40 W

封装类型

陶瓷

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置H 带次级中心插头的平衡传输线 10 - 4500MHz

频率

30-512 MHz

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