Integra Technologies, Inc.

描述

1025至1150 MHz，10.3 dB 双极晶体管

频率

1025至1150 MHz

供电电压

50 V

增益

10.3 dB

封装类型

法兰

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Wolfspeed

描述

300 W, 1.8 - 2.2 GHz, GaN HEMT 用于 LTE

频率

1.8 - 2.2 GHz

增益

17 dB

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Microsemi

频率

1300 MHz

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Ampleon

描述

53.01 dBm (200 W), LDMOS晶体管，2110 - 2170 MHz

频率

2110 - 2170 MHz

增益

19 dB

功率(W)

200 W

封装类型

法兰, 陶瓷

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Freescale

描述

1880-2025 MHz，37 W Avg.，28 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

1880 - 2025 MHz

供电电压

28 V

增益

16.5 dB @ 16.5 MHz

功率(W)

107 W

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Freescale

描述

945 MHz，30 W，26 V 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET

频率

945 - 945 MHz

供电电压

26 V

增益

19 dB @ 19 MHz

功率(W)

30 W

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Microsemi

描述

1.2至1.4 GHz GaN晶体管

频率

1.2至1.4 GHz

增益

16.6至17 dB

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Triquint

描述

4.8 mm HFET

频率

0 - 10500 MHz

供电电压

8 V

电流

384 mA

增益

8.5 dB

功率(W)

2.512 W, 34 dBm

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Microsemi

描述

2.7至3.5 GHz GaN晶体管

频率

2.7至3.5 GHz

增益

12.40 dB

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Ampleon

描述

56.02 dBm (400 W), LDMOS晶体管，2700 - 3100 MHz

频率

2700 - 3100 MHz

增益

13 dB

功率(W)

400 W

封装类型

法兰, 陶瓷

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