Ampleon

描述

49.54 dBm (90 W), LDMOS晶体管，1427 - 2170 MHz

频率

1427 - 2170 MHz

增益

19.5 dB

功率(W)

90 W

封装类型

法兰, 陶瓷

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Triquint

描述

9.6 mm HFET

频率

0 - 10500 MHz

供电电压

8.5 V

电流

768 mA

增益

9.5 dB

功率(W)

5.012 W, 37 dBm

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Qorvo

描述

30W, 32V DC - 3.5 GHz, 无凸缘GaN射频功率晶体管 用于军事, 民用雷达, 测试设备以及干扰器

频率

DC - 3.5 GHz

增益

16 - 21.6 dB

封装类型

表贴

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Freescale

描述

2450 MHz，250 W CW，32 V射频功率，LDMOS晶体管

频率

2450 MHz

供电电压

32 V

增益

15 dB

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Qorvo

描述

45W, 32V DC - 3.5 GHz, 法兰 GaN 射频功率晶体管

频率

DC - 3.5 GHz

供电电压

32 V

增益

19.5 - 23.4 dB

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置D 非平衡到非平衡 0.050-2500MHz

频率

0.50-2200 MHz

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Integra Technologies, Inc.

描述

2700至2900 MHz，11.4 dB GaN晶体管

频率

2700至2900 MHz

供电电压

50 V

增益

11.4 dB

封装类型

法兰

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Freescale

描述

N至通道LDMOS晶体管，960至1215 MHz

频率

960 MHz至1.21 GHz

供电电压

50 V

增益

19.7 dB

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Freescale

描述

800 MHz，27 W Avg.，28 V，单 N-CDMA，GSM EDGE 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

800 - 960 MHz

供电电压

28 V

增益

20.2 dB @ 20.2 MHz

功率(W)

125 W

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Freescale

描述

2110-2170 MHz，12 W Avg.，28 V 单 W-CDMA RF LDMOS宽带集成功率放大器

频率

2110 - 2170 MHz

供电电压

28 V

功率(W)

40 W

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