A2T26H160-24S

Freescale

描述
2496 - 2690 MHz,28 W,28 V Airfast RF功率LDMOS晶体管
频率
2496 - 2690 MHz
供电电压
28 V

PTFB 192557SH - 255 W

Infineon Technologies

描述
大功率射频LDMOS场效应晶体管,255 W,28 V,1930至1990 MHz
频率
1930至1990 MHz
供电电压
28.0 V
增益
18至19 dB
封装类型
H-34288G-4/2

MDS500L

Microsemi

频率
1030 - 1090 MHz
供电电压
50 V
增益
8.5 dB
功率(W)
500 W

ILD1214EL40

Integra Technologies, Inc.

描述
1200至1400 MHz,14.2 dB LDMOS晶体管
频率
1200至1400 MHz
供电电压
30 V
增益
14.2 dB
封装类型
法兰

PH1214-30EL

MACOM

描述
硅基Bipolar晶体管
频率
1200 - 1400 MHz
功率(W)
30 W
封装类型
陶瓷

BLF7G27LS-75P

NXP Semiconductors

描述
2300 - 2700 MHz,LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站
频率
2300 - 2700 MHz
供电电压
28 V(DC)
增益
17 dB

BLF6G38-25

NXP Semiconductors

描述
3400 - 3800 MHz,LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站
频率
3400 - 3800 MHz
供电电压
28 V(DC)
增益
15 dB

AT-42035

Avago Technologies

描述
一般用途晶体管
频率
100 - 6000 MHz
供电电压
8.0V

BLF6G10-45

NXP Semiconductors

描述
700 - 1000 MHz,LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站
频率
700 - 1000 MHz
供电电压
28 V(DC)
增益
22.5 dB

TCN2-14 (+)

Mini Circuits

描述
变频器 LTCC 配置G 平衡传输线 600-2600MHz
频率
700-1400 MHz

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