MACOM

描述

硅基Bipolar晶体管

频率

3100 - 3400 MHz

功率(W)

30 W

封装类型

陶瓷

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Freescale

描述

728-960 MHz，1.6 W Avg.，28 V 单 W-CDMA RF LDMOS宽带集成功率放大器

频率

728 - 960 MHz

供电电压

28 V

功率(W)

15.5 W

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Microsemi

频率

1030 - 1090 MHz

供电电压

45 V

增益

6.5 dB

功率(W)

400 W

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，250 W，28 V，1805至1880 MHz

频率

1805至1880 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至19 dB

封装类型

H-34288G-4/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，340 W，30 V，1805至1880 MHz

频率

1805至1880 MHz

供电电压

30.0 V

增益

16至17 dB

封装类型

H-36275-8

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，240 W，30 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17至18 dB

封装类型

H-34288-4/2

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NXP Semiconductors

描述

2110 - 2170 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

2110 - 2170 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

19 dB

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Qorvo

描述

11 Watt，GaN 功率晶体管，0.03 GHz至3 GHz

频率

30 MHz至3.0 GHz

供电电压

32 V

增益

17.1 dB

封装类型

表面封装

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Integra Technologies, Inc.

描述

1030 MHz，14.5 dB 双极晶体管

频率

1030 MHz

供电电压

48 V

增益

14.5 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

1030至1090 MHz，16.5 dB LDMOS晶体管

频率

1030至1090 MHz

供电电压

50 V

增益

16.5 dB

封装类型

法兰

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