Nitronex

描述

GaN RF MMIC

频率

1 - 2 GHz

供电电压

28 V

增益

22 dB

功率(W)

50 W

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Avago Technologies

描述

一般用途晶体管

频率

100 - 5000 MHz

供电电压

16.0V

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NXP Semiconductors

描述

2500 - 2700 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

2500 - 2700 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

18 dB

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NXP Semiconductors

描述

1800 - 2050 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

1800 - 2050 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

18 dB

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Infineon Technologies

描述

宽频射频LDMOS集成功率放大器，45 W，1900至2200 MHz

频率

1900至2200 MHz

供电电压

28.0 V

增益

26.5至28 dB

封装类型

H-34265-8

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MACOM

描述

GaN on SiC HEMT，脉冲功率晶体管，500 W峰值，960 - 1215 MHz，128 us 脉冲，10%占空比

频率

960 - 1215 MHz

供电电压

50 - 65 V

电流

21.5 A

增益

18 - 20 dB

功率(W)

56.99 dBm, 500 W 峰值功率

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NXP Semiconductors

描述

2500 - 2700 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

2500 - 2700 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

15.5 dB

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MACOM

描述

硅基TMOS晶体管

频率

5 - 80 MHz

功率(W)

600 W

封装类型

陶瓷

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Cree

描述

240 W，2700-3100 MHz，50 Ohm输入/输出匹配，GaN HEMT，用于S波段雷达系统

频率

2700 - 3100 MHz

功率(W)

240 W

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MACOM

描述

硅基TMOS晶体管

频率

5 - 175 MHz

功率(W)

30 W

封装类型

陶瓷

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