BLF2425M7LS100

Ampleon

描述
50 dBm (100 W), LDMOS晶体管,2300 - 2400 MHz
频率
2300 - 2400 MHz
增益
18 dB
功率(W)
100 W
封装类型
法兰, 陶瓷

BLF25M612G

Ampleon

描述
40.79 dBm (12 W), LDMOS晶体管,2400 - 2500 MHz
频率
2400 - 2500 MHz
增益
19 dB
功率(W)
12 W
封装类型
法兰, 陶瓷

MRF8P18265H

Freescale

描述
1805-1880 MHz,72 W Avg.,30 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
频率
1805 - 1880 MHz
供电电压
30 V
增益
16 dB @ 16 MHz
功率(W)
224 W

BLF644P

Ampleon

描述
48.45 dBm (70 W), LDMOS晶体管,10 - 1300 MHz
频率
10 - 1300 MHz
增益
23.5 dB
功率(W)
70 W
封装类型
法兰, 陶瓷

TCM3-1T+

Mini Circuits

描述
变频器 表面贴装 配置A 非平衡到平衡中心插头 0.01-1400MHz
频率
2-500 MHz

PTFB 211503FL - 150 W

Infineon Technologies

描述
大功率射频LDMOS场效应晶体管,150 W,30 V,2110至2170 MHz
频率
2110至2170 MHz
供电电压
30.0 V
增益
16.5至18 dB
封装类型
H-34288-4/2

BLF7G22LS-130

Ampleon

描述
51.14 dBm (130 W), LDMOS晶体管,2000 - 2200 MHz
频率
2000 - 2200 MHz
增益
18.5 dB
功率(W)
130 W
封装类型
法兰, 陶瓷

TAN75A

Microsemi

频率
960 - 1215 MHz
供电电压
50 V
增益
8 dB
功率(W)
75 W

TGF2965-SM

Qorvo

描述
5 Watt,32 Volt,0.03至3 GHz,50 Ohm,GaN输入匹配晶体管
频率
30 MHz至3.0 GHz
供电电压
32 V
增益
18 dB
封装类型
表面封装

10AM05

Microsemi

频率
1000 MHz
供电电压
20 V
电流
1 Amp
增益
10 dB
功率(W)
5 W

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