Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，200 W，30 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

15.8 dB

封装类型

H-37260-2

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NXP Semiconductors

描述

1800 - 2000 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

1800 - 2000 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

18.9 dB

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Microsemi

频率

1025 - 1150 MHz

供电电压

50 V

增益

7 dB

功率(W)

150 W

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Freescale

描述

136 - 941 MHz，4 W，7.5 V宽带RF功率LDMOS晶体管

频率

136 - 941 MHz

供电电压

7.5 V

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Wolfspeed

描述

120 W, UHF - 2.5 GHz, GaN HEMT 用于 WCDMA, LTE, MC-GSM

频率

UHF - 2.5 GHz

供电电压

28 V

增益

21 dB

功率(W)

120 W

封装类型

法兰, 陶瓷

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MACOM

描述

硅基Bipolar晶体管

频率

2700 - 2900 MHz

功率(W)

8.5 W

封装类型

陶瓷

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Mini Circuits

描述

变频器 LTCC 配置J 宽带双绞线传输器 240 - 12000MHz

频率

2100-2700 MHz

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置D 非平衡到非平衡 0.050-2500MHz

频率

4-2500 MHz

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置C 平衡到平衡 0.01-500MHz

频率

1.5-500 MHz

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Ampleon

描述

51.76 dBm (150 W), LDMOS晶体管，2496 - 2690 MHz

频率

2496 - 2690 MHz

增益

15 dB

功率(W)

150 W

封装类型

法兰

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