Ampleon

描述

53.01 dBm (200 W), LDMOS晶体管，1805 - 1990 MHz

频率

1805 - 1990 MHz

增益

18 dB

功率(W)

200 W

封装类型

法兰, 陶瓷

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Triquint

描述

12 mm HFET

频率

0 - 8000 MHz

供电电压

8 V

电流

750 mA

增益

14 dB

功率(W)

5.012 W, 37 dBm

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MACOM

描述

硅基Bipolar晶体管

频率

1200 - 1400 MHz

功率(W)

0.85 W

封装类型

陶瓷

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置A 非平衡到平衡中心插头 0.01-1400MHz

频率

3-800 MHz

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Microsemi

频率

470 - 860 MHz

供电电压

28 V

电流

0.3 A

增益

8.5 dB

功率(W)

100 W

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NXP Semiconductors

描述

2110 - 2170 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

2110 - 2170 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

17 dB

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Ampleon

描述

54.31 dBm (270 W), LDMOS晶体管，790 - 960 MHz

频率

790 - 960 MHz

增益

19.5 dB

功率(W)

270 W

封装类型

法兰, 陶瓷

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Qorvo

描述

100W，DC至3.5 GHz，GaN射频功率晶体管

频率

DC至3.5 GHz

供电电压

28 V

增益

21.2 dB(大于 14 dB @ 3.5 GHz)

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MACOM

描述

硅基TMOS晶体管

频率

5 - 225 MHz

功率(W)

200 W

封装类型

陶瓷

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，45 W，28 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

28.0 V

增益

17.5 dB

封装类型

H-31265-2

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