Cree

描述

100 W，DC - 3 GHz，50 V，一般目的 GaN HEMT

频率

DC - 3 GHz

增益

17.5 dB

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Cree

描述

6 W，28 V，RF功率GaN HEMT，一般用途宽带晶体管

频率

0 - 6000 MHz

供电电压

28 V

增益

13 dB

功率(W)

6 W

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Cree

描述

50 W，7.9 - 9.6 GHz，50 Ohm，输入/输出匹配 GaN HEMT

频率

7900 - 8400 MHz

功率(W)

50 W

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Cree

描述

6 W，28 V，RF功率GaN HEMT，塑料一般用途 宽带晶体管

频率

0 - 6000 MHz

供电电压

28 V

增益

13 dB

功率(W)

6 W

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Cree

描述

30 W，6.0 GHz，宽带 GaN HEMT 裸片

频率

0 - 6000 MHz

供电电压

28 V

增益

15 dB

功率(W)

30 W

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Cree

描述

45 W，RF功率GaN HEMT，一般用途宽带晶体管

频率

0 - 4000 MHz

供电电压

28 V

增益

16 dB

功率(W)

45 W

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Cree

描述

30 W，DC - 6 GHz，28 V，GaN HEMT

频率

1.8 - 2.7 GHz

供电电压

28 V

增益

18 - 18.5 dB

封装类型

双扁平无引线(DFN)

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Cree

描述

300 W，2.3至2.7 GHz，GaN HEMT， LTE

频率

2300至2700 MHz

增益

16 dB

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Cree

描述

DC - 6 GHz，30 Watt GaN晶体管，用于 L、S和C波段应用

频率

DC - 6 GHz

供电电压

50 V

增益

16 dB

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Cree

描述

50 W，7.9 - 9.6 GHz，50 Ohm，输入/输出匹配 GaN HEMT

频率

8400 - 9600 MHz

功率(W)

50 W

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