Cree

描述

4.4至5 GHz，GaN晶体管，200 Watts CW

频率

4.4至5 GHz

增益

12.2至15.4 dB

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Cree

描述

120 W，RF功率GaN HEMT，一般用途宽带晶体管

频率

0 - 2500 MHz

供电电压

28 V

增益

20 dB

功率(W)

120 W

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Cree

描述

120 W，6.0 GHz，GaN HEMT 裸片

频率

0 - 6000 MHz

供电电压

28 V

增益

13 dB

功率(W)

120 W

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Cree

描述

30 W，DC - 6.0 GHz，GaN HEMT

频率

2.5 - 2.7 GHz

供电电压

50 V

增益

21 dB

封装类型

双扁平无引线(DFN)

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Cree

描述

70-W，18.0-GHz，GaN HEMT，0.25 Micron 裸片

频率

0 - 18000 MHz

供电电压

40 V

增益

17 dB

功率(W)

70 W

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Cree

描述

15 W，28V，GaN HEMT，用于线性通信范围从VHF-3GHz

频率

0 - 3000 MHz

功率(W)

15 W

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Cree

描述

35 W，RF功率GaN HEMT，一般用途宽带晶体管

频率

0 - 4000 MHz

供电电压

28 V

增益

15 dB

功率(W)

35 W

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Cree

描述

120 W，28 V，RF功率GaN HEMT，一般用途宽带晶体管

频率

0 - 2500 MHz

供电电压

28 V

增益

20 dB

功率(W)

120 W

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Cree

描述

60-W，3100-3500-MHz，28-V GaN HEMT

频率

3100 - 3500 MHz

功率(W)

60 W

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Cree

描述

240 W，2700-3100 MHz，50 Ohm输入/输出匹配，GaN HEMT晶体管，用于S波段雷达系统

频率

2700 - 3100 MHz

电流

60 mA(forward gate current)

增益

11 - 12 dB

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