NZ9F6V8T5G

ON Semiconductor

描述
6.46至7.14 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.46至7.14 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MM3Z5V6ST1G

ON Semiconductor

描述
5.49至5.73 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.49至5.73 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5228ET1G

ON Semiconductor

描述
3.71至4.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.71至4.1 V
齐纳电流
20 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MM3Z6V2ST1G

ON Semiconductor

描述
6.06至6.33 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.06至6.33 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4V7T1G

ON Semiconductor

描述
4.47至4.94 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.47至4.94 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5256ET1G

ON Semiconductor

描述
28.5至31.5 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
28.5至31.5 V
齐纳电流
4.2 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5262ET1G

ON Semiconductor

描述
48.45至53.55 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
48.45至53.55 V
齐纳电流
2.5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5257ET1G

ON Semiconductor

描述
31.35至34.65 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
31.35至34.65 V
齐纳电流
3.8 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5243BLT1G

ON Semiconductor

描述
12.35至13.65 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
12.35至13.65 V
齐纳电流
9.5 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5251BLT1G

ON Semiconductor

描述
20.9至23.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
20.9至23.1 V
齐纳电流
5.6 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

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