MM3Z27VST1G

ON Semiconductor

描述
26.19至27.53 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
26.19至27.53 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5236ELT1/T3G

ON Semiconductor

描述
7.12至7.88 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.12至7.88 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MM3Z5V1ST1G

ON Semiconductor

描述
4.98至5.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.98至5.2 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

NZ9F13VST5G

ON Semiconductor

描述
12.91至13.49 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
12.91至13.49 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

1N5343B

ON Semiconductor

描述
7.13至7.88 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.13至7.88 V
齐纳电流
175 mA
功率
5 W
封装类型
表面封装

BZX84C11LT1G

ON Semiconductor

描述
10.4至11.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
10.4至11.6 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

1SMA5924BT3G

ON Semiconductor

描述
8.64至9.56 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.64至9.56 V
齐纳电流
41.2 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

MMSZ4702T1G

ON Semiconductor

描述
14.25至15.75 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.25至15.75 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

NZ9F5V1ST5G

ON Semiconductor

描述
4.989至5.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.989至5.2 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMBZ15VALT1G

ON Semiconductor

描述
14.25至15.75 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.25至15.75 V
功率
225 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛