BZX84C12ET1G

ON Semiconductor

描述
11.4至12.7 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
11.4至12.7 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

BZX84C4V7ET1G

ON Semiconductor

描述
4.4至5 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.4至5 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MM5Z30VT1G

ON Semiconductor

描述
28至32 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
28至32 V
齐纳电流
2 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5231BT1G

ON Semiconductor

描述
4.85至5.36 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.85至5.36 V
齐纳电流
20 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MM3Z8V2T1G

ON Semiconductor

描述
7.7至8.7 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.7至8.7 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

1N5351B

ON Semiconductor

描述
13.3至14.7 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
13.3至14.7 V
齐纳电流
100 mA
功率
5 W
封装类型
表面封装

NZQA5V6XV5T1G

ON Semiconductor

描述
5.32至5.88 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.32至5.88 V
功率
300 mW
封装类型
表面封装

MM5Z9V1ST1G

ON Semiconductor

描述
8.85至9.23 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.85至9.23 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5237ELT1/T3G

ON Semiconductor

描述
7.79至8.61 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.79至8.61 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMBZ18VALT1G

ON Semiconductor

描述
17.1至18.9 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
17.1至18.9 V
功率
225 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛