MM3Z43VT1G

ON Semiconductor

描述
40至46 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
40至46 V
齐纳电流
2 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMBZ15VDLT1G/T3G

ON Semiconductor

描述
14.3至15.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.3至15.8 V
功率
225 mW
封装类型
表面封装

NZ9F6V2T5G

ON Semiconductor

描述
5.89至6.51 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.89至6.51 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5239ELT1/T3G

ON Semiconductor

描述
8.65至9.55 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.65至9.55 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

BZX84B8V2LT1G

ON Semiconductor

描述
8.04至8.36 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.04至8.36 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5224BT1G

ON Semiconductor

描述
2.66至2.94 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.66至2.94 V
齐纳电流
20 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

1N5357B

ON Semiconductor

描述
19至21 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
19至21 V
齐纳电流
65 mA
功率
5 W
封装类型
表面封装

MM3Z20VT1G

ON Semiconductor

描述
18.8至21.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
18.8至21.2 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MM3Z24VT1G

ON Semiconductor

描述
22.8至25.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
22.8至25.6 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MM5Z5V6T1G

ON Semiconductor

描述
5.2至6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.2至6 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛