MMBZ5239BLT1G

ON Semiconductor

描述
8.64至9.56 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.64至9.56 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ18ET1G

ON Semiconductor

描述
17.1至18.9 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
17.1至18.9 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4689T1G

ON Semiconductor

描述
4.85至5.36 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.85至5.36 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5226BT1G

ON Semiconductor

描述
3.14至3.47 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.14至3.47 V
齐纳电流
20 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84C4V3ET1G

ON Semiconductor

描述
4至4.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4至4.6 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

BZX84C56LT1G

ON Semiconductor

描述
52至60 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
52至60 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ16ET1G

ON Semiconductor

描述
15.2至16.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
15.2至16.8 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84C43ET1G

ON Semiconductor

描述
40至46 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
40至46 V
齐纳电流
2, 0.1, 10 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4680T1G

ON Semiconductor

描述
2.09至2.31 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.09至2.31 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4V7ET1G

ON Semiconductor

描述
4.47至4.94 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.47至4.94 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

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