BZX84C6V2LT1/T3G

ON Semiconductor

描述
5.8至6.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.8至6.6 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

1PMT5921BT1G

ON Semiconductor

描述
6.46至7.14 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.46至7.14 V
齐纳电流
55.1 mA
功率
3.2 W
封装类型
表面封装

MMBZ5225BLT1G

ON Semiconductor

描述
2.85至3.15 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.85至3.15 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MM3Z33VT1G

ON Semiconductor

描述
31至35 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
31至35 V
齐纳电流
2 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

1N5347B

ON Semiconductor

描述
9.5至10.5 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
9.5至10.5 V
齐纳电流
125 mA
功率
5 W
封装类型
表面封装

1SMF5920BT1G

ON Semiconductor

描述
5.89至6.51 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.89至6.51 V
功率
385 mW
封装类型
表面封装

NZ9F8V2T5G

ON Semiconductor

描述
7.79至8.61 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.79至8.61 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MM3Z36VT1G

ON Semiconductor

描述
34至38 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
34至38 V
齐纳电流
2 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

SMF13AG

ON Semiconductor

描述
14.4至15.9 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.4至15.9 V
功率
385 mW
封装类型
表面封装

NZ9F3V0T5G

ON Semiconductor

描述
2.85至3.15 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.85至3.15 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛