MMSZ4711ET1G

ON Semiconductor

描述
25.65至28.35 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
25.65至28.35 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ6V8T1G

ON Semiconductor

描述
6.46至7.14 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.46至7.14 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MM5Z18VT1G

ON Semiconductor

描述
16.8至19.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
16.8至19.1 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MM3Z6V8ST1G

ON Semiconductor

描述
6.65至6.93 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.65至6.93 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

BZX84C39LT1G

ON Semiconductor

描述
37至41 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
37至41 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5245ET1G

ON Semiconductor

描述
14.25至15.75 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.25至15.75 V
齐纳电流
8.5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MM3Z3V3T1G

ON Semiconductor

描述
3.1至3.5 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.1至3.5 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ27ET1G

ON Semiconductor

描述
25.65至28.35 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
25.65至28.35 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ2V4ET1G

ON Semiconductor

描述
2.28至2.52 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.28至2.52 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MM5Z18VST1G

ON Semiconductor

描述
17.56至18.35 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
17.56至18.35 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

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