Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置A 非平衡到平衡中心插头 0.01-1400MHz

频率

2-500 MHz

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Microsemi

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，160 W，28 V，920至960 MHz

频率

920至960 MHz

供电电压

28.0 V

增益

19.5至20 dB

封装类型

H-34288-4/2

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Microsemi

频率

1025 - 1150 MHz

供电电压

50 V

增益

10.7 dB

功率(W)

35 W

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Ampleon

描述

48.75 dBm (75 W), LDMOS晶体管，3400 - 3800 MHz

频率

3400 - 3800 MHz

增益

15.5 dB

功率(W)

75 W

封装类型

法兰, 陶瓷

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Freescale

描述

880 MHz，70 W，26 V 单 N-CDMA 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET

频率

800 - 960 MHz

供电电压

26 V

增益

17.8 dB @ 17.8 MHz

功率(W)

70 W

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MACOM

描述

硅基Bipolar晶体管

频率

960 - 1215 MHz

功率(W)

4 W

封装类型

陶瓷

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置D 非平衡到非平衡 0.050-2500MHz

频率

0.30-475 MHz

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置A 非平衡到平衡中心插头 0.01-1400MHz

频率

0.40-500 MHz

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NXP Semiconductors

描述

2000 - 2200 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

2000 - 2200 MHz

供电电压

32 V(DC)

增益

17.5 dB

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