NXP Semiconductors

描述

2110 - 2170 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

2110 - 2170 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

18.5 dB

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

2700至2900 MHz，10.5 dB GaN晶体管

频率

2700至2900 MHz

供电电压

50 V

增益

10.5 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Freescale

描述

2110-2170 MHz，34 W Avg.，28 V W-CDMA，LTE 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

2110 - 2170 MHz

供电电压

28 V

增益

17.9 dB @ 17.9 MHz

功率(W)

126 W

下载手册 官网资料 对比 询价

Microsemi

频率

4500 MHz

下载手册 官网资料 对比 询价

Triquint

描述

DC - 3.3 GHz，200 W晶体管

频率

DC - 3.3 GHz

供电电压

36 V

电流

720 mA

增益

13 dB

功率(W)

200 W

下载手册 官网资料 对比 询价

Freescale

描述

1930-1990 MHz，22 W Avg.，28 V，2 x N-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

1930 - 1990 MHz

供电电压

28 V

增益

13.9 dB @ 13.9 MHz

功率(W)

100 W

下载手册 官网资料 对比 询价

Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，150W，420至500 MHz

频率

420至500 MHz

供电电压

28.0 V

增益

20至21 dB

封装类型

H-36248-2

下载手册 官网资料 对比 询价

Mini Circuits

描述

变频器 LTCC 配置J 宽带双绞线传输器 240 - 12000MHz

频率

3500-11000 MHz

下载手册 官网资料 对比 询价

Freescale

描述

1.8-2000 MHz，25 W，50 V宽带RF功率LDMOS晶体管

频率

1800 - 2000 MHz

供电电压

50 V

增益

26 dB @ 26 MHz

功率(W)

25 W

下载手册 官网资料 对比 询价

Ampleon

描述

DC - 3.5 GHz, GaN HEMT 晶体管

频率

DC - 3.5 GHz

供电电压

50 V

电流

150 - 275 mA

增益

9.8 - 11.5 dB (功率增益)

封装类型

陶瓷

下载手册 官网资料 对比 询价