MACOM

描述

硅基Bipolar晶体管

频率

1200 - 1400 MHz

功率(W)

300 W

封装类型

陶瓷

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NXP Semiconductors

描述

1800 - 1990 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

1800 - 1990 MHz

供电电压

32 V(DC)

增益

18 dB

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，180 W，30 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

16至17 dB

封装类型

H-34288-4/2

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Ampleon

描述

53.8 dBm (240 W), LDMOS晶体管，2300 - 2400 MHz

频率

2300 - 2400 MHz

增益

14.5 dB

功率(W)

240 W

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Freescale

描述

470 MHz，70 W，12.5 V 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET

频率

400 - 470 MHz

供电电压

12.5 V

增益

11.5 dB @ 11.5 MHz

功率(W)

70 W

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MACOM

描述

GaN，宽带，90 W，脉冲晶体管，塑料封装，DC - 3.5 GHz

频率

DC - 3.5 GHz

供电电压

50 V

增益

17.5 dB

功率(W)

95 W

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Cree

描述

15 W，DC - 6.0 GHz，50 V，GaN HEMT

频率

2.4 - 2.7 GHz

供电电压

50 V

增益

21 dB

封装类型

双扁平无引线(DFN)

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Microsemi

频率

470 - 860 MHz

供电电压

26.5 V

电流

2.7 A

增益

8.5 dB

功率(W)

20 W

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Freescale

描述

3.5 GHz，3 W，12 V 功率 FET GaAs pHEMT

频率

0 - 6000 MHz

供电电压

12 V

增益

10.8 dB @ 10.8 MHz

功率(W)

3 W

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Qorvo

描述

35W, 32V, DC - 3.5 GHz GaN 射频功率晶体管

频率

DC - 3.5 GHz

供电电压

32 V

增益

17 dB

功率(W)

45.7 W

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