Microsemi

频率

30 MHz

供电电压

12.5 V

电流

150 mA

增益

11 dB

功率(W)

100 W

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Qorvo

描述

25 W SiC基离散功率GaN HEMT

频率

0 - 18000 MHz

供电电压

28 - 40 V

电流

500 mA

增益

15 dB

功率(W)

25.119 W

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Wolfspeed

描述

6-W, 18.0-GHz, GaN HEMT, 0.25 μm 裸片

频率

0 - 18000 MHz

供电电压

40 V

增益

17 dB

功率(W)

6 W

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MACOM

描述

硅基TMOS晶体管

频率

5 - 175 MHz

功率(W)

300 W

封装类型

陶瓷

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置H 带次级中心插头的平衡传输线 10 - 4500MHz

频率

10-1900 MHz

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Integra Technologies, Inc.

描述

480至610 MHz，15 dB LDMOS晶体管

频率

480至610 MHz

供电电压

45 V

增益

15 dB

封装类型

法兰

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Wolfspeed

描述

50 W GaN HEMT ， DC - 4 GHz

频率

DC - 4 GHz

供电电压

50 V

增益

14.8 - 17.6 dB(小信号)

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Freescale

描述

10-500 MHz，1000 W，50 V 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET

频率

10 - 500 MHz

供电电压

50 V

功率(W)

1000 W(Peak)

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管 120W，28V，2496至2690MHz

频率

2496至2690 MHz

供电电压

28.0 V

增益

12.5至13.5 dB

封装类型

H-37248-4

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Ampleon

描述

53.98 dBm (250 W), LDMOS晶体管，920 - 960 MHz

频率

920 - 960 MHz

增益

19.5 dB

功率(W)

250 W

封装类型

法兰, 陶瓷

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