1N5345B

ON Semiconductor

描述
8.27至9.14 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.27至9.14 V
齐纳电流
150 mA
功率
5 W
封装类型
表面封装

MM5Z2V7T1G

ON Semiconductor

描述
2.5至2.9 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.5至2.9 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MM5Z6V8T1G

ON Semiconductor

描述
6.4至7.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.4至7.2 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

1N5951B, G

ON Semiconductor

描述
114至126 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
114至126 V
齐纳电流
3.1 mA
功率
3 W
封装类型
表面封装

1N5374B

ON Semiconductor

描述
71.25至78.75 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
71.25至78.75 V
齐纳电流
20 mA
功率
5 W
封装类型
表面封装

MMBZ5236BLT1G

ON Semiconductor

描述
7.12至7.88 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.12至7.88 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MM5Z4V3T1G

ON Semiconductor

描述
4至4.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4至4.6 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MM3Z30VST1G

ON Semiconductor

描述
29.19至30.69 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
29.19至30.69 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

1N5954B, G

ON Semiconductor

描述
152至168 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
152至168 V
齐纳电流
2.3 mA
功率
3 W
封装类型
表面封装

1N5927B, G

ON Semiconductor

描述
11.4至12.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
11.4至12.6 V
齐纳电流
31.2 mA
功率
3 W
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛