MMBZ5237BLT1G

ON Semiconductor

描述
7.79至8.61 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.79至8.61 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5232ET1G

ON Semiconductor

描述
5.32至5.88 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.32至5.88 V
齐纳电流
20 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5231BLT1G/T3G

ON Semiconductor

描述
4.84至5.36 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.84至5.36 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

BZX84C16LT1G

ON Semiconductor

描述
15.3至17.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
15.3至17.1 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4709T1G

ON Semiconductor

描述
22.8至25.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
22.8至25.2 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84C4V3LT1G

ON Semiconductor

描述
4至4.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4至4.6 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

1N5955B, G

ON Semiconductor

描述
171至189 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
171至189 V
齐纳电流
2.1 mA
功率
3 W
封装类型
表面封装

BZX84C27ET1G

ON Semiconductor

描述
25.1至28.9 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
25.1至28.9 V
齐纳电流
2, 0.1, 10 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

NZ9F4V3ST5G

ON Semiconductor

描述
4.17至4.43 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.17至4.43 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5246ELT1G

ON Semiconductor

描述
15.2 to 16.8 V, 表贴齐纳二极管
齐纳电压
15.2 - 16.8 V
齐纳电流
7.8 mA
功率
225 mW
封装类型
表贴

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