NZX8V2B

NXP Semiconductors

描述
8 V,单齐纳二极管
齐纳电压
8 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

NZX15C

NXP Semiconductors

描述
15.2 V,单齐纳二极管
齐纳电压
15.2 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX585-C39

NXP Semiconductors

描述
39 V,稳压二极管
齐纳电压
39 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

BZB784-C2V7

NXP Semiconductors

描述
2 V,双稳压二极管
齐纳电压
2 V
齐纳电流
5 mA
功率
350 mW
封装类型
表面封装

PZU22B1A

NXP Semiconductors

描述
22 V,单齐纳二极管
齐纳电压
22 V
齐纳电流
5 mA
功率
490 mW
封装类型
表面封装

BZX884-B33

NXP Semiconductors

描述
33 V,稳压二极管
齐纳电压
33 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

NZX27C

NXP Semiconductors

描述
27 V,单齐纳二极管
齐纳电压
27 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZT52H-B6V2

NXP Semiconductors

描述
6 V,单齐纳二极管,SOD123F封装
齐纳电压
6 V
齐纳电流
5 mA
功率
830 mW
封装类型
表面封装

BZB784-C12

NXP Semiconductors

描述
12 V,双稳压二极管
齐纳电压
12 V
齐纳电流
5 mA
功率
350 mW
封装类型
表面封装

TDZ2V4J

NXP Semiconductors

描述
2 V,单齐纳二极管
齐纳电压
2 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛