PZU11BA

NXP Semiconductors

描述
11 V,单齐纳二极管
齐纳电压
11 V
齐纳电流
5 mA
功率
490 mW
封装类型
表面封装

BZX585-C15

NXP Semiconductors

描述
15 V,稳压二极管
齐纳电压
15 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

BZX79-B9V1

NXP Semiconductors

描述
9 V,稳压二极管
齐纳电压
9 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
引脚

BZB84-B39

NXP Semiconductors

描述
39 V,双齐纳二极管
齐纳电压
39 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX84-B33

NXP Semiconductors

描述
33 V,单齐纳二极管
齐纳电压
33 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX79-C33

NXP Semiconductors

描述
33 V,稳压二极管
齐纳电压
33 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
引脚

BZB84-B33

NXP Semiconductors

描述
33 V,双齐纳二极管
齐纳电压
33 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PZU24B1

NXP Semiconductors

描述
24 V,单齐纳二极管
齐纳电压
24 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

BZX384-B5V6

NXP Semiconductors

描述
5 V,单齐纳二极管
齐纳电压
5 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

BZX585-B47

NXP Semiconductors

描述
47 V,稳压二极管
齐纳电压
47 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛