BZX585-B3V0

NXP Semiconductors

描述
3 V,稳压二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

BZX585-B27

NXP Semiconductors

描述
27 V,稳压二极管
齐纳电压
27 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

BZX84J-C47

NXP Semiconductors

描述
47 V,单齐纳二极管
齐纳电压
47 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

BZX884-B2V4

NXP Semiconductors

描述
2 V,稳压二极管
齐纳电压
2 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

NZX18A

NXP Semiconductors

描述
17 V,单齐纳二极管
齐纳电压
17 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

PZU8.2B2A

NXP Semiconductors

描述
8 V,单齐纳二极管
齐纳电压
8 V
齐纳电流
5 mA
功率
490 mW
封装类型
表面封装

BZB84-C24

NXP Semiconductors

描述
24.2 V,双齐纳二极管
齐纳电压
24.2 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PZU18BL

NXP Semiconductors

描述
17 V,单齐纳二极管
齐纳电压
17 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PZU4.3B2L

NXP Semiconductors

描述
4 V,单齐纳二极管
齐纳电压
4 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX585-B11

NXP Semiconductors

描述
11 V,稳压二极管
齐纳电压
11 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛