PDZ18B

NXP Semiconductors

描述
18 V,稳压二极管
齐纳电压
18 V
齐纳电流
5 mA
功率
400 mW
封装类型
表面封装

PZU7.5B2

NXP Semiconductors

描述
7 V,单齐纳二极管
齐纳电压
7 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

BZT52H-B5V6

NXP Semiconductors

描述
5 V,单齐纳二极管,SOD123F封装
齐纳电压
5 V
齐纳电流
5 mA
功率
830 mW
封装类型
表面封装

NZX11D

NXP Semiconductors

描述
11 V,单齐纳二极管
齐纳电压
11 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX585-B4V7

NXP Semiconductors

描述
4.7 V,稳压二极管
齐纳电压
4.7 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

BZX84-C68

NXP Semiconductors

描述
68 V,单齐纳二极管
齐纳电压
68 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PZU13B

NXP Semiconductors

描述
13 V,单齐纳二极管
齐纳电压
13 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

PZU11B2A

NXP Semiconductors

描述
11 V,单齐纳二极管
齐纳电压
11 V
齐纳电流
5 mA
功率
490 mW
封装类型
表面封装

BZV49-C15

NXP Semiconductors

描述
15 V,稳压二极管
齐纳电压
15 V
齐纳电流
5 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

PZU3.9B1A

NXP Semiconductors

描述
3 V,单齐纳二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
490 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛