HVJ3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
1700 - 2000 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
1700 - 2000 MHz
隔离度
24 dB
插入损耗
0.35 dB
平均功率
5 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HDP3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
2300 - 2700 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
2300 - 2700 MHz
隔离度
25 dB
插入损耗
0.13 dB
平均功率
200 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HPM3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
2200 - 2400 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
2200 - 2400 MHz
隔离度
20 dB
插入损耗
0.2 dB
平均功率
80 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HPJ2F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
1700 - 2000 MHz,HybriX PTFE 混合耦合器
频率
1700 - 2000 MHz
隔离度
22 dB
插入损耗
0.2 dB
平均功率
45 Watts
VSWR
1.22:1
封装类型
表贴

HUU2F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
5000 - 6000 MHz,HybriX PTFE 混合耦合器
频率
5000 - 6000 MHz
隔离度
25 dB
插入损耗
0.22 dB
平均功率
25 Watts
VSWR
1.18:1
封装类型
表贴

HSC3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
400 - 500 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
400 - 500 MHz
隔离度
20 dB
插入损耗
0.25 dB
平均功率
200 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

W3H0830F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
800 - 3000 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
800 - 3000 MHz
隔离度
18 dB
插入损耗
0.5 dB
平均功率
100 Watts
VSWR
1.3:1
封装类型
表贴

HD064M3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
59 - 69 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
59 - 69 MHz
隔离度
20 dB
插入损耗
1 dB
平均功率
10 Watts
VSWR
1.3:1
封装类型
表贴

HDE

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
1000 - 2000 MHz,HybriX PTFE 混合耦合器
频率
1000 - 2000 MHz
隔离度
26 dB
插入损耗
0.45 dB
平均功率
200 Watts
VSWR
1.15:1
封装类型
表贴

HMP2F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
2300 - 2700 MHz,HybriX PTFE 混合耦合器
频率
2300 - 2700 MHz
隔离度
23 dB
插入损耗
0.11 dB
平均功率
80 Watts
VSWR
1.17:1
封装类型
表贴

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛