T1G6001032-SM

Triquint

描述
10 W,32 V,DC - 6 GHz GaN RF功率晶体管
频率
DC - 6 GHz
供电电压
32 V
增益
19 dB
功率(W)
10 W

TGF2022-60

Triquint

描述
Ku 波段,离散功率pHEMT
频率
0 - 20000 MHz
供电电压
8 - 12 V
电流
448 - 752 mA
增益
12 dB
功率(W)
6.31 W, 38 dBm

FH101-G

Triquint

描述
GaAs MESFET
频率
50 - 4000 MHz
供电电压
5 V
电流
150 mA
增益
19 dB
功率(W)
0.063 W, 18 dBm

CLY5

Triquint

描述
GaAs FET
频率
400 - 2500 MHz
供电电压
3 V
电流
350 mA
增益
11 dB
功率(W)
0.501 W, 27 dBm

TGF2960-SD

Triquint

描述
0.5 Watt GaAs HFET
频率
0 - 5000 MHz
供电电压
8 V
电流
100 mA
增益
19 dB
功率(W)
0.501 W, 27 dBm

TGF2022-12

Triquint

描述
Ku 波段,离散功率pHEMT
频率
0 - 20000 MHz
供电电压
8 - 12 V
电流
90 - 150 mA
增益
13 dB
功率(W)
1.259 W, 31 dBm

FP31QF-F

Triquint

描述
2 Watt GaAs HFET
频率
50 - 4000 MHz
供电电压
9 V
电流
450 mA
增益
18 dB
功率(W)
2.512 W, 34 dBm

TGF2961-SD

Triquint

描述
1 Watt GaAs HFET
频率
0 - 4000 MHz
供电电压
8 V
电流
200 mA
增益
18 dB
功率(W)
1 W, 30 dBm

TGF4124

Triquint

描述
24 mm HFET
频率
0 - 4000 MHz
供电电压
8 V
电流
2170 mA
增益
13 dB
功率(W)
10 W, 40 dBm

TGF1350-SCC

Triquint

描述
0.3 mm,MESFET
频率
0 - 18000 MHz
供电电压
3 V
电流
15 mA
增益
11 dB
功率(W)
20 mW, 13 dBm

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛