Integra Technologies, Inc.

描述

5200至5900 MHz，13 dB GaN晶体管

频率

5200至5900 MHz

供电电压

36 V

增益

13 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

100至1000 MHz，12 dB GaN晶体管

频率

100至1000 MHz

供电电压

28 V

增益

12 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

1030至1090 MHz，14.4 dB LDMOS晶体管

频率

1030至1090 MHz

供电电压

28 V

增益

14.4 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

3100至3500 MHz，12 dB GaN晶体管

频率

3100至3500 MHz

供电电压

50 V

增益

12 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

2200至2260 MHz，8.4 dB 双极晶体管

频率

2200至2260 MHz

供电电压

38 V

增益

8.4 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

1030至1090 MHz，16.6 dB LDMOS晶体管

频率

1030至1090 MHz

供电电压

50 V

增益

16.6 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

2700至2900 MHz，9.5 dB GaN晶体管

频率

2700至2900 MHz

供电电压

36 V

增益

9.5 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

1030 MHz，8.4 dB 双极晶体管

频率

1030 MHz

供电电压

50 V

增益

8.4 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

1030 MHz，9.2 dB 双极晶体管

频率

1030 MHz

供电电压

50 V

增益

9.2 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

960至1215 MHz，9.1 dB LDMOS晶体管

频率

960至1215 MHz

供电电压

50 V

增益

9.1 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价