IB0912M600

Integra Technologies, Inc.

描述
960至1215 MHz,8.5 dB 双极晶体管
频率
960至1215 MHz
供电电压
50 V
增益
8.5 dB
封装类型
法兰

IB1012S1100

Integra Technologies, Inc.

描述
1025至1150 MHz,9.8 dB 双极晶体管
频率
1025至1150 MHz
供电电压
60 V
增益
9.8 dB
封装类型
法兰

IB2729M170

Integra Technologies, Inc.

描述
2700至2900 MHz,9.5 dB 双极晶体管
频率
2700至2900 MHz
供电电压
36 V
增益
9.5 dB
封装类型
法兰

ILD1214M60

Integra Technologies, Inc.

描述
1200至1400 MHz,13.7 dB LDMOS晶体管
频率
1200至1400 MHz
供电电压
30 V
增益
13.7 dB
封装类型
法兰

IGN2729MA800

Integra Technologies, Inc.

描述
2700至2900 MHz,10.5 dB GaN晶体管
频率
2700至2900 MHz
供电电压
50 V
增益
10.5 dB
封装类型
法兰

ILD0506EL350

Integra Technologies, Inc.

描述
480至610 MHz,15 dB LDMOS晶体管
频率
480至610 MHz
供电电压
45 V
增益
15 dB
封装类型
法兰

IB2226MH15

Integra Technologies, Inc.

描述
2200至2260 MHz,10 dB 双极晶体管
频率
2200至2260 MHz
供电电压
36 V
增益
10 dB
封装类型
法兰

IB1012S150

Integra Technologies, Inc.

描述
1025至1150 MHz,10.2 dB 双极晶体管
频率
1025至1150 MHz
供电电压
50 V
增益
10.2 dB
封装类型
法兰

IDM500CW120

Integra Technologies, Inc.

描述
1至500 MHz,MOSFET晶体管
频率
1至500 MHz
供电电压
28 V
封装类型
法兰

IB0912M70

Integra Technologies, Inc.

描述
960至1215 MHz,12 dB 双极晶体管
频率
960至1215 MHz
供电电压
50 V
增益
12 dB
封装类型
法兰

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