Infineon Technologies

描述

700 W L波段LDMOS RF晶体管，用于雷达系统，1200 - 1400 MHz

频率

1200 - 1400 MHz

增益

15 - 16 dB

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，200 W，28 V，2620至2690 MHz

频率

2620至2690 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至19.5 dB

封装类型

H-34288G-4/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，4 W，700至2200 MHz

频率

700至2200 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18.5 dB

封装类型

PG-SON-10

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Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，140 W，28 V，1880至1920 MHz，2010至2025 MHz

频率

1880至1920 MHz

供电电压

28.0 V

增益

16至17.7 dB

封装类型

H-37248-4

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Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，240 W，30 V，725至770 MHz

频率

725至770 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至19 dB

封装类型

H-33288-2

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