BZX84C8V2LT1G

ON Semiconductor

描述
7.7至8.7 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.7至8.7 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ43ET1G

ON Semiconductor

描述
40.85至45.15 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
40.85至45.15 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4693ET1G

ON Semiconductor

描述
7.13至7.88 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.13至7.88 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84B15LT1G

ON Semiconductor

描述
14.7至15.3 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.7至15.3 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4685T1G

ON Semiconductor

描述
3.42至3.78 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.42至3.78 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

1SMA5932BT3G

ON Semiconductor

描述
19至21 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
19至21 V
齐纳电流
18.7 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

MM5Z8V2ST1G

ON Semiconductor

描述
8.02至8.36 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.02至8.36 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

NZ9F3V3ST5G

ON Semiconductor

描述
3.32至3.53 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.32至3.53 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ11T1G

ON Semiconductor

描述
10.45至11.55 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
10.45至11.55 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84C12LT1G

ON Semiconductor

描述
11.4至12.7 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
11.4至12.7 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

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