BZX84C22ET1G

ON Semiconductor

描述
20.8至23.3 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
20.8至23.3 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

BZX84C3V0LT1G

ON Semiconductor

描述
2.8至3.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.8至3.2 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

NZ9F2V7T5G

ON Semiconductor

描述
2.57至2.84 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.57至2.84 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

BZX84C3V0ET1G

ON Semiconductor

描述
2.8至3.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.8至3.2 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ15ET1G

ON Semiconductor

描述
14.25至15.75 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.25至15.75 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84C7V5ET1G

ON Semiconductor

描述
7至7.9 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7至7.9 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

1N5943B, G

ON Semiconductor

描述
53.2至58.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
53.2至58.8 V
齐纳电流
6.7 mA
功率
3 W
封装类型
表面封装

MM5Z5V1T1G

ON Semiconductor

描述
4.8至5.4 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.8至5.4 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ3V0ET1G

ON Semiconductor

描述
2.85至3.15 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.85至3.15 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84B4V7LT1G

ON Semiconductor

描述
4.61至4.79 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.61至4.79 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

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