BZM55C2V7

Micro Commercial Components

描述
2.5至2.9 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.5至2.9 V
齐纳电流
1.0 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

DL85C47

Micro Commercial Components

描述
44至50 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
44至50 V
齐纳电流
0.25 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

3SMAJ5920B

Micro Commercial Components

描述
6.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.2 V
齐纳电流
482 mA
功率
3 W
封装类型
表面封装

TZX7V5C

Micro Commercial Components

描述
7.3至7.7 V,引线,齐纳二极管
齐纳电压
7.3至7.7 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
引脚

NZH11C

NXP Semiconductors

描述
11 V,单齐纳二极管
齐纳电压
11 V
齐纳电流
20 mA
功率
830 mW
封装类型
表面封装

BZB84-B18

NXP Semiconductors

描述
18 V,双齐纳二极管
齐纳电压
18 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

UMZ36K

ROHM Semiconductor

描述
36 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
36 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

BZV90-C3V9

NXP Semiconductors

描述
3.9 V,稳压二极管
齐纳电压
3.9 V
齐纳电流
5 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

NZX5V6C

NXP Semiconductors

描述
5 V,单齐纳二极管
齐纳电压
5 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

SMBJ5926B

Micro Commercial Components

描述
11 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
11 V
齐纳电流
0.25 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛