Integra Technologies, Inc.

描述

100至1000 MHz，12 dB GaN晶体管

频率

100至1000 MHz

供电电压

28 V

增益

12 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

1030至1090 MHz，14.4 dB LDMOS晶体管

频率

1030至1090 MHz

供电电压

28 V

增益

14.4 dB

封装类型

法兰

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置F 单端至可选阻抗比平衡 0.01-200MHz

频率

0.07-200 MHz

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，190 W，28 V，1805至1880 MHz

频率

1805至1880 MHz

供电电压

28.0 V

增益

14至15.5 dB

封装类型

H-44248H-4

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置H 带次级中心插头的平衡传输线 10 - 4500MHz

频率

500-2500 MHz

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置K 平衡传输线 5 - 8000MHz

频率

10-4000 MHz

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Microsemi

描述

一般用途功率

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Wolfspeed

描述

240 W, 2700-3100 MHz, 50-ohm 输入/输出匹配, GaN HEMT 用于 S-频段 雷达系统

频率

2700 - 3100 MHz

功率(W)

240 W

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Integra Technologies, Inc.

描述

3100至3500 MHz，12 dB GaN晶体管

频率

3100至3500 MHz

供电电压

50 V

增益

12 dB

封装类型

法兰

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NXP Semiconductors

描述

2.4 GHz LDMOS 功率晶体管，应用于微波炉

频率

2400至2500 MHz

增益

17至19 dB

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