Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，55 W，869至960 MHz

频率

869至960 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至18.5 dB

封装类型

H-37265-2

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NXP Semiconductors

描述

2110 - 2170 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

2110 - 2170 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

14 dB

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Microsemi

描述

Gallium Nitride(GaN)

频率

2700 - 3100 MHz

供电电压

60 V

电流

0.40 - 0.45

增益

12 dB

功率(W)

118 - 151 W

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Freescale

描述

728–2700 MHz，1.26 W AVG.，28 V Airfast RF功率LDMOS晶体管

频率

728 - 2700 MHz

供电电压

28 V

增益

21.7 dB

功率(W)

40 dBm, 10 W

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Freescale

描述

2110-2170 MHz，11.5 W Avg.，28 V，2 x W-CDMA，侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

2110 - 2170 MHz

供电电压

28 V

增益

16 dB @ 16 MHz

功率(W)

50 W

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Triquint

描述

45W，32V，DC - 3.5 GHz，Earless GaN RF功率晶体管

频率

DC - 3.5 GHz

供电电压

32 V

增益

19.5 - 23.4 dB

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置A 不平衡到平衡中心插头 0.004-500MHz

频率

0.30-300 MHz

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Microsemi

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MACOM

描述

硅基LDMOS晶体管

频率

978 - 978 MHz

功率(W)

75 W

封装类型

陶瓷

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Integra Technologies, Inc.

描述

1至500 MHz，MOSFET晶体管

频率

1至500 MHz

供电电压

28 V

封装类型

法兰

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