Analog Devices

描述

GaAs MMIC I/Q 混频器, 8 - 12 GHz,，镜像抑制混频器/单边带上变频器

RF频率

8 - 12 GHz

LO频率

10 - 12 GHz

中频频率

DC - 4 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

10 dBm

IP3

18 dBm

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API Technologies

描述

1000-2000MHz,双平衡RF混频器

RF频率

1000-2000 MHz

LO频率

1000-2000 MHz

中频频率

0-1000 MHz

转换损耗

8.0 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

7至23 dBm

P1dB

3至15 dBm

IP3

13至26 dBm

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Merrimac Industries Inc

描述

350MHz - 500MHz，射频、微波双平衡混频器, 9dB最大转换损耗

RF频率

350MHz - 500MHz

转换损耗

9dB

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RF-Lambda

描述

高线性混频器

RF频率

1 至 999.99 MHz

LO频率

1 至 999.99 MHz

中频频率

800 MHz

转换损耗

7.5 dB

LO驱动功率

13~23 dBm

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MACOM

RF频率

0.5-500 MHz

LO频率

0.5-500 MHz

中频频率

0.5-500 MHz

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Mini Circuits

描述

10MHz - 1000MHz，射频、微波双平衡混频器, 9.5dB最大转换损耗

RF频率

10MHz - 1000MHz

转换损耗

9.5dB

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L-3 Narda-MITEQ

描述

5400 MHz - 5900 MHz，射频、微波镜频抑制混频器, 7 dB最大转换损耗

RF频率

5400 MHz - 5900 MHz

转换损耗

7dB

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Marki Microwave

描述

M9系列混频器-毫米波 (双平衡)

RF频率

5000-45000 MHz

LO频率

5000-45000 MHz

中频频率

DC-4 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

连接器类型模组

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L-3 Narda-MITEQ

描述

1500 MHz - 2000 MHz，射频、微波镜频抑制混频器, 7 dB最大转换损耗

RF频率

1500 MHz - 2000 MHz

转换损耗

7dB

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L-3 Narda-MITEQ

描述

12000 MHz - 18500 MHz，射频、微波双平衡混频器, 7.5 dB最大转换损耗

RF频率

12000 MHz - 18500 MHz

转换损耗

7.5dB

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