HM International
- 描述
- 5 至 26 MHz,带CMOS波形,TCXO
- 频率
- 5 至 26 MHz
- 输出波形
- CMOS
- 供电电压
- 3.3V ±5% 至 5V ±5%
- 频率稳定度
- ±4.6 ppm
- 工作温度
- -40 至 85 ℃
- 封装类型
- 表贴
HM International
- 描述
- 5 至 26 MHz,正弦波形,TCXO
- 频率
- 5 至 26 MHz
- 输出波形
- 正弦
- 供电电压
- 3.3V ±5% 至 5V ±5%
- 频率稳定度
- ±4.6 ppm
- 工作温度
- -40 至 85 ℃
- 封装类型
- 表贴
HM International
- 描述
- 1 至 64 MHz,正弦波形,TCXO
- 频率
- 1 至 64 MHz
- 输出波形
- 正弦
- 供电电压
- 3.3V ±5% 至 5V ±5%
- 频率稳定度
- ±1.0 ppm
- 工作温度
- -40 至 85 ℃
- 封装类型
- 穿孔
HM International
- 描述
- 16.368 至 38.4 MHz,正弦波形,TCXO
- 频率
- 16.368 至 38.4 MHz
- 输出波形
- 正弦
- 供电电压
- 1.8V ±5% 至 2.8V ±5%
- 频率稳定度
- ±1.5 ppm
- 工作温度
- -40 至 85 ℃
- 封装类型
- 表贴
HM International
- 描述
- 1 至 125 MHz,带CMOS波形,TCXO
- 频率
- 1 至 125 MHz
- 输出波形
- CMOS
- 供电电压
- 3.3V ±5% 至 5V ±5%
- 频率稳定度
- ±1.0 ppm
- 工作温度
- -40 至 85 ℃
- 封装类型
- 表贴
HM International
- 描述
- 1 至 125 MHz,带CMOS波形,TCXO
- 频率
- 1 至 125 MHz
- 输出波形
- CMOS
- 供电电压
- 3.3V ±5% 至 5V ±5%
- 频率稳定度
- ±1.0 ppm
- 工作温度
- -40 至 85 ℃
- 封装类型
- 穿孔
HM International
- 描述
- 4 至 54 MHz,带CMOS波形,TCXO
- 频率
- 4 至 54 MHz
- 输出波形
- CMOS
- 供电电压
- 1.8V ±5% 至 3.3V ±5%
- 频率稳定度
- ±0.5 ppm
- 工作温度
- -30 至 75 ℃
- 封装类型
- 表贴
HM International
- 描述
- 4 至 54 MHz,带CMOS波形,TCXO
- 频率
- 4 至 54 MHz
- 输出波形
- CMOS
- 供电电压
- 1.8V ±5% 至 3.3V ±5%
- 频率稳定度
- ±0.5 ppm
- 工作温度
- -30 至 75 ℃
- 封装类型
- 表贴
HM International
- 描述
- 9.6 至 50 MHz,正弦波形,TCXO
- 频率
- 9.6 至 50 MHz
- 输出波形
- 正弦
- 供电电压
- 2.8V ±5% 至 5V ±5%
- 频率稳定度
- ±2.0 ppm
- 工作温度
- -40 至 85 ℃
- 封装类型
- 表贴
HM International
- 描述
- 1 至 200 MHz,带CMOS波形,TCXO
- 频率
- 1 至 200 MHz
- 输出波形
- CMOS
- 供电电压
- 3.3V ±5% 至 5V ±5%
- 频率稳定度
- ±1.0 ppm
- 工作温度
- -40 至 85 ℃
- 封装类型
- 表贴