Connor-Winfield

描述

6.4 - 40 MHz，3.3 V Tx

频率

6.4 - 40 MHz

输出波形

LVCMOS

供电电压

3.3 V

频率稳定度

+/-0.25至1.0 ppm

工作温度

0至70 ℃

封装类型

表贴

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Connor-Winfield

描述

10 - 40 MHz，2.8 V Tx

频率

10 - 40 MHz

输出波形

削顶正弦波

供电电压

2.8 V

频率稳定度

+/-0.5至2.0 ppm

工作温度

-30至85 ℃

封装类型

表贴

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Connor-Winfield

描述

1.0 - 52 MHz，5.0 V Tx

频率

1.0 - 52 MHz

输出波形

HCMOS

供电电压

5.0 V

频率稳定度

+/-0.28至2.5 ppm

工作温度

-20至70 ℃

封装类型

DIP

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Connor-Winfield

描述

10 - 54 MHz，3.3 V Tx

频率

10 - 54 MHz

输出波形

LVCMOS

供电电压

3.3 V

频率稳定度

+/-1 ppm

工作温度

0至70 ℃

封装类型

表贴

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Connor-Winfield

描述

12.8 - 155.52 MHz，3.3 V Tx

频率

12.8 - 155.52 MHz

输出波形

LVCMOS

供电电压

3.3 V

工作温度

-40至85 ℃

封装类型

表贴

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Connor-Winfield

描述

6.4 - 52 MHz，3.3 V Tx

频率

6.4 - 52 MHz

输出波形

正弦波

供电电压

3.3 V

频率稳定度

+/-0.28至2.5 ppm

工作温度

-40至85 ℃

封装类型

DIP

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Connor-Winfield

描述

6.4 - 40 MHz，3.3 V Tx

频率

6.4 - 40 MHz

输出波形

LVCMOS，削顶正弦波

供电电压

3.3 V

频率稳定度

+/-0.28 ppm

工作温度

-40至85 ℃

封装类型

表贴

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Connor-Winfield

描述

12.8 - 156.25 MHz，3.3 V Tx

频率

12.8 - 156.25 MHz

输出波形

LVCMOS

供电电压

3.3 V

工作温度

0至70 ℃

封装类型

表贴

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Connor-Winfield

描述

6.4 - 40 MHz，3.3 V Tx

频率

6.4 - 40 MHz

输出波形

削顶正弦波

供电电压

3.3 V

频率稳定度

+/-0.5至2.0 ppm

工作温度

-30至85 ℃

封装类型

表贴

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Connor-Winfield

描述

10 - 20 MHz，3.3 V Tx

频率

10 - 20 MHz

输出波形

LVCMOS

供电电压

3.3 V

频率稳定度

+/-100 ppb

工作温度

-40至85 ℃

封装类型

表贴

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